Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Каспаров на турнире в Сент-Луисе выступил лучше, чем Болт на ЧМ-2017 – Карякин

Тринадцатый чемпион мира по шахматам Гарри Каспаров выступил на турнире по блицу и рапиду Grand Chess Tour в Сент-Луисе лучше, чем восьмикратный олимпийский чемпион ямайский спринтер Усэйн Болт на чемпионате мира по легкой атлетике 2017 года в Лондоне, заявил российский гроссмейстер Сергей Карякин.

МОСКВА, 19 авг — Р-Спорт. Тринадцатый чемпион мира по шахматам Гарри Каспаров выступил на турнире по блицу и рапиду Grand Chess Tour в Сент-Луисе лучше, чем восьмикратный олимпийский чемпион ямайский спринтер Усэйн Болт на чемпионате мира по легкой атлетике 2017 года в Лондоне, заявил российский гроссмейстер Сергей Карякин.

В пятницу завершился шахматный турнир по блицу и рапиду Grand Chess Tour в Сент-Луисе, в котором Каспаров занял восьмое место. Тринадцатый чемпион мира по шахматам ранее заявил, что не планирует выступать на других официальных соревнованиях.

Обладатель мировых рекордов в беге на 100 и 200 метров Болт, которому 21 августа исполнится 31 год, в Лондоне выступал на 100-метровке, где стал третьим, и в эстафете 4×100 метров, где не сумел финишировать из-за травмы. Впоследствии на пресс-конференции ямаец заявил, что не изменил своего решения завершить карьеру после лондонского ЧМ, которое он анонсировал ранее.

"По крайней мере, Каспаров на своем последнем турнире выступил лучше, чем Усэйн Болт (на ЧМ-2017)", - написал Карякин в своем микроблоге в Twitter.

Карякин на турнире в Сент-Луисе уступил лишь армянину Левону Ароняну, поделив второе место с американцем Хикару Накамурой. "Я хорошо играл в классические шахматы, плохо в рапиде, и блестяще в блице! Это мой маленький отчет за прошедшие 20 дней", - отметил он.

Рекомендуем
РИА
Новости
Лента
новостей
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала