Рейтинг@Mail.ru
Радваньская и Кербер вышли в четвертьфинал теннисного турнира в США - РИА Новости Спорт, 29.02.2016
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Обложка для супертега
Теннис

Радваньская и Кербер вышли в четвертьфинал теннисного турнира в США

Читать в
Полька Агнешка Радваньская и немка Ангелика Кербер оформили путевки в четвертьфинал теннисного турнира в Цинциннати (США), призовой фонд которого превышает 2 миллиона долларов.

МОСКВА, 16 авг - РИА Новости. Полька Агнешка Радваньская и немка Ангелика Кербер оформили путевки в четвертьфинал теннисного турнира в Цинциннати (США), призовой фонд которого превышает 2 миллиона долларов.

Третья ракетка мира Радваньская в третьем круге нанесла поражение американке Слоан Стивенс (wild card) - 6:1, 4:6, 6:4. Встреча продолжалась 1 час 57 минут.

Кербер, получившая от организаторов пятый номер посева, в двух сетах одолела чешку Андреа Главачкову, пробившуюся на турнир из квалификации, со счетом 6:4, 7:6 (7:5).

Соперницей польки в борьбе за место в полуфинале будет или китаянка Ли На (9), или шведка Йоханна Ларссон (квалификация). Кербер сыграет или с сестрой Радваньской Урсулой, или со второй ракеткой турнира американкой Сереной Уильямс.

 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Теннис
    Завершен
    А. Рублев
    Ф. Багнис
    66
    14
  • Теннис
    Завершен
    А. Павлюченкова
    Д. Сэвилл
    66
    14
  • Теннис
    Завершен
    М. Андреева
    Л. Носкова
    466
    633
  • Теннис
    Завершен
    К. Буча
    Д. Касаткина
    763
    576
  • Теннис
    Завершен
    Е. Александрова
    Э. Крюгер
    33
    66
  • Теннис
    1-й сет
    А. Шевченко
    К. Алькарас
    0
    0
  • Футбол
    26.04 18:00
    Аль-Хиляль
    Аль-Фатех
  • Футбол
    26.04 22:00
    Реал Сосьедад
    Реал Мадрид
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала