Рейтинг@Mail.ru
Хоу Ифань вышла в единоличные лидеры на этапе Гран-при FIDE в Монте-Карло - РИА Новости Спорт, 29.02.2016
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Хоу Ифань вышла в единоличные лидеры на этапе Гран-при FIDE в Монте-Карло

Читать в
Китайская шахматистка Хоу Ифань вышла в единоличные лидеры после 8-го тура на этапе Гран-при FIDE в Монте-Карло.

МОСКВА, 11 окт - Р-Спорт. Китайская шахматистка Хоу Ифань вышла в единоличные лидеры после 8-го тура на этапе Гран-при FIDE в Монте-Карло.

Хоу Ифань черными обыграла иранку Сарасадат Хадемальшарьех. Россиянки Наталья Погонина и Александра Костенюк в своих партиях сыграли вничью с украинкой Натальей Жуковой и шведкой Пиа Крамлинг соответственно.

Результаты других партий:

Анна Музычук (Украина) - Антоанета Стефанова (Болгария) - 0,5 - 0,5;

Нана Дзагнидзе (Грузия) - Эльмира Скрипченко (Франция) - 1 - 0;

Мария Музычук (Украина) - Хампи Конеру (Индия) - 1 - 0.

Положение после 8-го тура: 1. Хоу Ифань (6,5 очков), 2. Мария Музычук (6), 3. Конеру (5,5), 4-6. Крамлинг, Костенюк, Погонина (все - по 4,5), 7. Стефанова - (4), 8. Жукова (3,5), 9. Анна Музычук (3), 10. Скрипченко (2,5), 11. Дзагнидзе (2), 12. Хадемальшарьех - 1,5.

 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Теннис
    Завершен
    А. Рублев
    Ф. Багнис
    66
    14
  • Теннис
    Завершен
    А. Павлюченкова
    Д. Сэвилл
    66
    14
  • Теннис
    Завершен
    М. Андреева
    Л. Носкова
    466
    633
  • Теннис
    Завершен
    К. Буча
    Д. Касаткина
    763
    576
  • Теннис
    Завершен
    Е. Александрова
    Э. Крюгер
    33
    66
  • Теннис
    Завершен
    А. Шевченко
    К. Алькарас
    21
    66
  • Футбол
    2-й тайм
    Аль-Хиляль
    Аль-Фатех
    2
    1
  • Футбол
    26.04 22:00
    Реал Сосьедад
    Реал Мадрид
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала