Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Фигуристка Сотскова заявила, что ей "легко ехалось" в короткой программе Финала ГП

Российская фигуристка Мария Сотскова заявила, что ощущала легкость в короткой программе в Финале Гран-при в Японии.

НАГОЯ (Япония), 8 дек – Р-Спорт, Анатолий Самохвалов. Российская фигуристка Мария Сотскова заявила, что ощущала легкость в короткой программе в Финале Гран-при в Японии.

Финал серии Гран-при проходит 7-9 декабря в японской Нагое. Соревнования в женском одиночном катании стартовали в пятницу. Сотскова по итогам короткой программы набрала ровно 74 балла и занимает промежуточное четвертое место. Днем ранее спортсменка допустила ряд ошибок на тренировке.

"Я рада, что переступила отметку "за 70", - сказала Сотскова журналистам. - После неудачного (тренировочного) проката вчера (тренер) Елена Германовна (Буянова) сказала мне: "Забудь, сегодня новый день, и завтра новый день, надо бороться и начинать с чистого листа". А сегодня, в отличие от тренировки, мне легко ехалось. Вначале волновалась, хотя обычно на Финале (Гран-при) я чувствую себя спокойно, потому что мне не нужно уже никуда отбираться, я уже здесь. Сегодня было волнение почему-то и особое желание. Думаю, после перелета было непонятное состояние".

По поводу физического роста фигуристка сказала, что надеется на то, что больше не подрастет. "Надеюсь, что нет, хватит. Может быть, из-за прически такое ощущение складывается. Думаю, я не подросла", - добавила она.

Также Сотскова отметила, что намерена экспериментировать с образами в программах, но задумается об этом перед будущим сезоном. "В следующем сезоне я буду экспериментировать, но пока даже не думала ни о чем конкретном", - пояснила она.

Рекомендуем
Иннокентий Самохвалов
Тренер призвал игроков "Локомотива" купить квартиру семье Самохвалова
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала