Рейтинг@Mail.ru
Первая ракетка мира пробилась в четвертый круг на турнира в Индиан-Уэллсе - РИА Новости Спорт, 10.03.2024
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Обложка для супертега - РИА Новости, 1920, 02.09.2021
Теннис
Первая ракетка мира пробилась в четвертый круг на турнира в Индиан-Уэллсе

Швёнтек вышла в четвертый круг на турнире WTA 1000 в Индиан-Уэллсе

© Фото : Пресс-служба WTAПольская теннисистка Ига Швентек
Польская теннисистка Ига Швентек - РИА Новости, 1920, 10.03.2024
Читать в
Дзен
МОСКВА, 10 мар - РИА Новости. Первая ракетка мира полька Ига Швёнтек пробилась в четвертый круг на турнире категории WTA 1000 в Индиан-Уэллсе (США), призовой фонд которого превышает 9,2 миллиона долларов.
В матче третьего круга Швёнтек, посеянная под первым номером, обыграла чешку Линду Носкову (26-й номер посева) со счетом 6:4, 6:0. Спортсменки провели на корте 1 час 12 минут.
Женская теннисная ассоциация (WTA)
BNP Paribas Open
10 марта 2024 • начало в 21:10
Завершен
Ига Швентек
2 : 06:46:0
Линда Носкова
Календарь Турнирная таблица История встреч
В следующем раунде Швёнтек сыграет с победительницей матча Мэдисон Киз (США, 18) - Юлия Путинцева (Казахстан).
Даниил Медведев - РИА Новости, 1920, 10.03.2024
Диджей пошутил над Медведевым во время матча в США
 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Хоккей
    31.01 16:30
    Авангард
    Барыс
  • Хоккей
    31.01 18:00
    Лада
    Ак Барс
  • Футбол
    31.01 19:30
    Ростов
    ЦСКА
  • Хоккей
    31.01 19:30
    Куньлунь Ред Стар
    Сочи
  • Теннис
    31.01 20:30
    А. Рублев
    Н. Басилашвили
  • Футбол
    31.01 22:45
    Парма
    Лечче
  • Футбол
    31.01 23:00
    Леганес
    Райо Вальекано
  • Футбол
    31.01 22:30
    Вердер
    Майнц 05
  • Футбол
    31.01 22:45
    Монпелье
    Ланс
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала